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Saphirsubstrate gehören zu den wichtigsten Aspekten der konstruktiven Anwendung dieses Materials. Sie werden zur Epitaxie von Halbleiterfilmen wie Si, GaN, AlGaN und zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen verwendet.
Saphirsubstrate sind inert, arbeiten bei hohen Temperaturen und mechanischen Belastungen und können in großen Abmessungen erhalten werden. Sie werden daher auch dann verwendet, wenn die Gitterparameter nicht vollständig mit den Parametern heteroepitaktischer Strukturen übereinstimmen.
Obwohl es viele Substrate gibt, die als potenzielle Materialien für den Ersatz von Saphirsubstraten angesehen werden, ist es auf dem Markt für Substrate (für GaN-LED-Wachstum) aufgrund seines angemessenen Preises und seiner relativ geringen Fehlanpassung nach wie vor dominierend.
Zhongju ist in der Lage, Substrate nach Kundenwunsch zu verarbeiten. Gegenwärtig reichen unsere Saphirsubstratproduktionen von 2 bis 12 Zoll mit hoher Qualität und genauer Ausrichtung.
Tabelle 1 Größe der Substrate
|
2 inches Substrates |
4 inches Substrates |
6 inches Substrates |
Diameter (mm) |
50.9±0.1 |
100.1±0.1 |
150.1±0.1 |
Primary Flat Length (mm) |
16±1 |
31±1 |
47.5±1 |
Tabelle 2 Spezifikation der Substrate
Material |
High purity single crystal sapphire |
Surface Orientation |
C-plane ± 0.1° |
Primary Flat Orientation |
A-plane ± 0.5° |
Broken edge length |
≤3mm |
Crack |
0 |
Defect |
No inclusion,twin,or boundary |
Bubble and cloud |
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length |
EPD |
≤1000 pits/cm2 |
Produktgruppe : Saphirsubstrat > 6-Zoll-Saphir-Substrat
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